Nexperia SiC MOSFET提升工业电源适配器安全性稳定性和可靠性的新标准
Nexperia推出首款SiC MOSFET：工业电源适配器安全性、稳定性和可靠性的新标准
在基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，这些新型号将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“我们希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。我们的这些SiC MOSFET器件性能均超越同类产品，如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，可以安全可靠地防止寄生导通。”
三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富專業知識，我們的人員實現了多方面特性的優秀平衡。”
RDS(on)，即传导功率损耗，是SiC MOSFET关键性能参数之一。通过创新工艺技术，新的SiC MOSFET实现了业界领先水平，在25℃至175℃工作温度范围内，其标称值仅增加38%。
此外，该系列设备栅极总电荷(QG）非常低，从而实现更低驱动损耗。此外，该系列设备还通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，有助于提高抗扰度。
除了正温度系数外，该系列设备阈值电压(VGS(th))也超低，使得并联工作时，在静态及动态条件下都能实现载流性能的一致性。此外，较低体二极管正向压力(VSD）有助于提高效率，同时放宽异步整流及续流操作死区时间要求。
未来计划开发车规级MOSFET，以满足不断增长对更强大、高效能源解决方案需求。现在已投入大规模生产中的NSI040120L3A0和NSI080120L3A0已经开始接受预订，请联系销售代表获取样品信息或访问官方网站了解更多详情：https://www.nexperia.com/sic-mosfets