Nexperia推出首款SiC MOSFET：工业电源开关应用安全性、稳健性和可靠性的新标准

在基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia与三菱电机希望这两款首发产品能够激发更多创新，加速市场上宽禁带器件供应商数量的增长。我们现已可以提供具有多个参数超越同类产品表现的一系列SiC MOSFET特点，如极高RDS(on)温度稳定性、较低体二极管压降、高阈值电压规格以及栅极电荷比均衡，这些都有助于确保安全可靠地防止寄生导通。”

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很荣幸与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作开发并生产此类设备的一个重要里程碑。”他补充道，“三菱電機在這個領域擁有豐富經驗，我們期望這種合作將帶來創新的技術解決方案。”

RDS(on)，即最小静态阻抗，是影响传导功率损耗且是关键性能参数之一。在目前市场上许多SiC设备中，这也是造成性能受限的一个因素。通过采用了创新工艺技术，新发布的SiC MOSFET实现了业界领先水平，在25℃至175℃工作温度范围内，其标称值仅增加38%。

此外，该公司还发现栅极总电荷(QG)非常低，从而减少了栅极驱动损耗。此外，平衡栅极控制使得QGD与QGS比率非常低，有助于提高抗扰能力。此外，还有正温度系数，使得该项数据更加精确，同时也提升了整体效率。

除了这些优点之外，该公司还注意到了阈值漏放（VGS(th)]—它通常被认为是一个指示MOS场效应晶体管是否处于饱和状态或非饱和状态的一个参数—对于这个项目来说，它特别重要，因为它决定了一个晶体管是否会因为过载而发生故障。此外，该项目还包括使用一种名为“负载共振”的方法来最大程度地减少一次启动时所需能源消耗，而不会牺牲任何其他方面的情况下保持最高效率。

最后，由于行业标准要求不断提高，对所有这些改进进行了一番详细分析，以确保它们符合最新标准并能够有效支持未来几年内预计出现的大量需求增幅。这意味着该项目必须设计成既灵活又坚固，以适应不断变化的地球环境，以及那些可能会对地球产生更大的影响的情况。

因此，可以说这是一个真正意义上的巨大挑战，但也有机会让整个世界看到他们如何解决问题，并创造一些真正革命性的改变。这就是为什么这项研究如此重要，也是为什么人们应该关注它的问题。当谈到解决全球暖化问题时，我们需要采取行动，并且要考虑长远利益，而不是短期利益。