Nexperia推出首款SiC MOSFET：工业电源开关应用的新标准

Nexperia，一个专注于高产能半导体器件生产的基础企业，今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并公布了两款采用3引脚TO-247封装、1200 V分立器件。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，这些器件将为电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)、太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用提供更高性能的支持。

这些新的SiC MOSFET产品具有业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃工作温度范围内，RDS(on)仅增加38%。此外，它们还具备低栅极总电荷(QG)，以实现更低的栅极驱动损耗，并且通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，从而提高了对寄生导通抗扰度。

除了正温度系数外，这些SiC MOSFET还有超低阈值电压VGS(th)，使得在静态和动态条件下可以实现非常均衡的载流性能。此外较低体二极管正向电压(VSD)有助于提高效率，同时也放宽了异步整流和续流操作死区时间要求。

Katrin Feurle，Nexperia高级总监兼SiC产品部主管表示：“我们希望这两款首发产品能够激发更多创新，为市场带来更多宽禁带器件供应商。这是我们与三菱電機合作生产高质量SiC MOSFET的一个开端。在未来几年里，我们将共同推进SiC器件性能发展。”

Toru Iwagami，三菱電機半导体与器件部功率器件业务高级总经理表示：“我们很荣幸与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET。这也是我们合作项目中的第一个成果。三菱電機在SiC功率半导体领域积累了丰富经验，我们成功地实现了多方面特性的平衡。”

RDS(on)是影响传导功率损耗的一个关键参数，而对于许多现有的SiC设备来说，它限制着它们在实际应用中的表现。通过采用创新工艺技术,Nexperia已经克服了这一挑战，将RDS(on)标称值保持在40 mΩ 和80 mΩ之间，并确保其可靠性、高安全性以及稳健性标准达到新的高度。

随着市场对车规级MOSFET需求不断增长，Nexopia计划未来进一步扩展其产品线，以满足各种不同应用场景下的需求。目前，这两款MOSFETS已经进入大规模生产阶段，可以从销售代表处获取样品。如果你想了解关于Nexopia Si C-MOS FETS 的更多信息，请访问https://www.nexopia.com/sic-mosfets