Nexperia SiC MOSFET数据驱动的工业电源开关新标准
Nexperia推出首款SiC MOSFET：工业电源开关应用的新标准
Nexperia，一个专注于高产能半导体器件生产的基础公司，宣布推出其首款碳化硅（SiC）MOSFET，并发布了两款采用3引脚TO-247封装的1200V分立型器件。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，这些器件将为电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)、太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用提供更高性能的支持。
这些新的SiC MOSFET具有极低RDS(on)，分别为40mΩ和80mΩ。这次推出的两款器件在可用性上表现突出，可以满足对高性能SiC MOSFET需求强烈的市场。根据Katrin Feurle，Nexperia高级总监兼SiC产品部主管，这些新型号能够激发更多创新，为市场带来更多宽禁带器件供应商。
Toru Iwagami，三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理，也表示：“我们很荣幸与Nexperia合作，将这两款新型号推向市场。这是我们合作生产高质量SiC MOSFET工作的一部分，我们相信这将共同促进未来几年内SiC设备性能提升。”
RDS(on)对于传导功率损耗有着直接影响，是评估一个好的SiC MOSFET的一个关键参数。通过使用创新工艺技术，Nexperia成功实现了业界领先水平的温度稳定性。在25℃至175℃范围内，RDS(on)仅增加38%。
此外，该公司还发现栅极总电荷(QG)非常低，有助于减少栅极驱动损耗。此外，由于QGD与QGS比率非常低，这种设计使得该设备对寄生导通有更好的抗扰能力。此外，该公司还确保了正温度系数以及超低阈值电压VGS(th)，以便在静态和动态条件下均衡载流，同时放宽死区时间要求，对异步整流及续流操作更加灵活。
随着未来计划中的车规级MOSFET研发，不久后用户就可以从大规模生产中获取到这些优质产品。如果你想了解关于Nexperia SiC MOFSFT更多信息，请访问https://www.nexperia.com/sic-mosfets
