Nexperia推出首款SiC MOSFET：工业电源开关应用的新标准

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET 的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC 器件性能 的发展。”

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作 推出的 首批产品。三菱電機在 Si C 功率半導體方面積累了豐富專業知識，我們 的 器 件實現了多方 面特性的 出色平衡。”

RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MO S F ET 的关键性能参数。 Nex p e r a 发 现 这 也 是 成 为 目 前 市 场 上 许 多 Si C 器 件 性 能 受 限 的 因 素 ， 新 推 出 的 Si C M O S F ET 采 用 了 创 新 型 工 艺 技 术 ， 实 现 了 业界领先的地温稳定性，在25℃至175℃工作温度范围内，RDS(on）的标称值仅增加38%。

Nex p e r a Si C M O S F ET 栅 极 总 电 荷 (QG ) 非 常 低，由此实现了更低的一排驱动损耗。此外，不平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了集成抗扰度。

除了正温度系数外,NEXPERIA-SIC-MOS-FETS-V-GS-th 也 超 级 下 压，此使得集成并联工作时，在静态及动态条件下都能实现非常均衡载流性能。此外较低的是二极管正向压力(VSD)，有助于提高效率，同时放宽异步整流及续流操作死区时间要求。

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