Nexperia推出首款SiC MOSFET，提升工业电源开关安全性、稳定性和可靠性标准

在基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

"Nexperia与三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。" Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示，“我们现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，比如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，可以安全可靠地防止寄生导通。”

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富專業知識，我們의儀表實現了多方面特性的優秀平衡。”

RDS(on)，会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET关键性能参数之一。Nexperia发现这是造成目前市场上许多SiC设备性能受限因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术，在25℃至175℃工作温度范围内，其标称值仅增加38%。

此外，该公司通过平衡栅极使得QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了对寄生导通抗扰度。此外，对于正温度系数外，还有VGS(th)，使得并联工作时，在静态及动态条件下都能实现非常均衡载流能力。此外较低VSD，有助于提高效率同时放宽死区时间要求。

未来还计划加入车规级MOSFET。在NSI040120L3A0及NSI080120L3A0已投入大规模生产，现在已经开始向客户销售请联系销售代表获取全套样品信息欲了解有关NEXPERIA更详细信息，请访问：https://www.nxpcorp.com/sic-mosfets