广东电力期刊Nexperia SiC MOSFET创新提升工业电源开关性能标准
广东电力期刊：Nexperia SiC MOSFET革新提升工业电源开关性能标准
随着全球对可持续能源解决方案的需求不断增长，碳化硅(SiC)功率电子器件正在成为提高工业电源开关应用安全性、稳健性和可靠性的关键技术。近日，半导体高产能生产专家Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。
NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，这些器件具有卓越的性能参数，如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及均衡栅极电荷比。这使得这些SiC MOSFET能够在安全可靠地防止寄生导通方面表现出色。
此外，Nexperia发现RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET的一个关键性能参数。通过创新型工艺技术，新的SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃工作温度范围内，RDS(on)标称值仅增加38%。此外，其栅极总电荷(QG)非常低，可实现更低栅极驱动损耗，同时平衡栅极电荷使QGD与QGS比率非常低，这一特性进一步提高了抗扰度。
除了正温度系数外，该系列SiC MOSFET还拥有超低VGS(th)，这在静态和动态条件下都能实现载流性能的一致。此外较低VSD有助于提高效率并放宽死区时间要求，对异步整流和续流操作更加友好。
未来，不断扩大产品阵容并提供不同RDS(on)、通孔封装和表面贴装封装选项，以满足汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET需求。欲了解更多关于Nexperia SiC MOFSFT信息，请访问https://www.nexperia.com/sic-mosfets