电源技术期刊官网宣布Littelfuse赋能了智能推出首款专为SiC MOSFET设计的栅极保护非对
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），致力于推动可持续发展、互联互通和安全的世界，宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管。这是市场上首款专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响的非对称瞬态抑制解决方案。与传统硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的效率，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也随之增加。
SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，它不仅简化了设计，而且显著提高了电路的可靠性。这种系列是市场上唯一一款专为SiC MOSFET独特栅极保护要求而设计的瞬态抑制二极管，与需要多个齐纳二极管或瞬态抑制二极管的传统解决方案不同。
SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管具有以下主要功能与特色：
非对称设计：确保精确可靠地针对SiC MOSFET正负栅極电压额定值进行定制。
单一元件解决方案：取代多个齐纳二極管和瞬態抑制二極管，减少元件数量，简化电路布局。
空间效率：通过将多种保护功能组合到一个元件中，大幅度减少PCB空间使用，为紧凑有效设计奠定基础。
兼容性：兼容所有可用的Littelfuse和其他领先企业提供的SiC MOSFET，使其成为各种应用领域中的通用选择。
"这款独特解决方案不仅轻松替代了原有的数十个元素，还节省了宝贵PCB空间，同时降低了所需零件数量。” Littelfuse产品营销总监Ben Huang表示，“我们相信，这将在数据中心、电动汽车基础设施以及工业设备中高效电源解析中发挥巨大作用。”
此外，该系列非常适用于采用SiC MOSFET技术的大型数据中心服务器、高性能计算环境、电子车辆充电站以及半导体制造等场景，以提高关键系统运行时间并保障设备性能。此外，由于全球授权经销商接受样品请求，现在可以获取卷带封装版本，只需订购3,000只即可。更多信息请访问 Littelfuse.com 或直接联系SBU保护业务部产品管理总监Ben Huang（Bhuang@littelfuse.com）。
