数据显示电源工程师职业前景广阔
。随着技术的不断进步和对可再生能源、电动汽车等领域需求的增加，电子设备的能效和稳定性要求日益提升。作为满足这些需求关键组成部分的高性能器件，如碳化硅（SiC）MOSFET，其在工业电源开关应用中的安全性、稳健性和可靠性标准得到了显著提升。
Nexperia，一家专注于基础半导体器件生产的大型制造商，最近宣布推出其首款SiC MOSFET，并计划进一步扩大产品线以满足市场对高性能器件的需求。在发布两款1200 V分立器件后，公司表示将持续推出具有不同RDS(on)值的多款产品，以提供更为丰富的选择给客户。
这两款新产品采用3引脚TO-247封装，分别有40 mΩ 和80 mΩ 的RDS(on)值，对于需要高效能转换和功率控制能力的应用如太阳能储能系统（ESS）逆变器以及UPS等来说，这些参数非常重要。此外，由于它们具有较低体二极管压降、高温度稳定性的特点，它们也被认为是适合用于车载充电桩应用中。
Katrin Feurle，Nexperia SiC产品部主管指出：“我们希望这次发布能够激发更多创新，并鼓励其他供应商加入这个市场。”三菱电机与Nexperia合作生产这些高质量SiC MOSFET，以确保安全可靠地防止寄生导通，并展望未来几年内共同提高SiC器件性能。
Toru Iwagami，三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理表示：“我们很荣幸能够与Nexperia一起推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作初期的一个里程碑。”
RDS(on)是一个影响传导功率损耗并限制当前市场上许多SiC MOSFET性能潜力的关键参数。通过采用创新工艺技术，这些新品实现了业界领先水平，在25℃至175℃工作温度范围内仅需38%增长标称值。此外，它们还具备低栅极总电荷(QG)，从而减少了栅极驱动损耗，并且平衡栅极电荷使QGD与QGS比率非常低，有助于提高抗扰度。
除了正温度系数外，还有超低VGS(th)阈值，使得并联工作时在静态及动态条件下都可以实现均衡载流。这意味着新的设备不仅在耐用性方面表现突出，而且对于异步整流操作也有所帮助。尽管如此，该公司目前仍然致力于开发更为先进、车规级别MOSFET产品来迎接未来的挑战。而NSF040120L3A0和NSF080120L3A0已经进入大规模生产阶段，可以通过销售代表获取样品信息。
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