Littelfuse智者般地推出了首款专为SiC MOSFET栅极保护而设计的非对称瞬态抑制二极管系
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），这位在工业技术领域的先驱者，致力于为一个更加可持续、互联且安全的世界提供动力。今天，它宣布推出了一款革命性的非对称瞬态抑制二极管——SMFA系列，这是市场上首款专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计的非对称瞬态抑制解决方案。这项创新不仅针对数据中心和电动汽车基础设施中的高效电源解决方案，而且也是工业设备中不可或缺的一部分。
与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的效率，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也随之增加。SMFA非对称系列通过一种创新的单元件解决方案，不仅简化了设计，还显著提高了电路的可靠性。
值得注意的是，SMFA非对称系列是市场上唯一专为SiC MOSFET独特栅极保护要求而设计的一款瞬态抑制二极管。与需要多个齐纳二极管或瞬态抑制二极管的大量传统解决方案不同，SMFA系列使用单个元件有效防止振铃和过冲现象，可节省宝贵PCB空间并降低电路设计复杂性。
SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管具备以下主要功能与特色：
非对称设计：确保精确可靠地针对于SiC MOSFET正负栅極電壓額定值进行定製。
单一元件解决方案：取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管，大幅减少元件数量，从而简化电路布局。
空间效率：通过将多种保护功能组合到一个元件中，大大减少了PCB空间使用，为紧凑、高效设计提供支持。
兼容性：兼容所有可用的Littelfuse及其他领先SiC MOSFET制造商，使其成为各种应用通用选择。
"我们非常自豪能够推出这样一款独一无两的产品，它不仅能轻松替代多个齐纳、二级导体等，但还能显著提升系统整体性能，并在保证长期运行时保持最佳状态。” Littelfuse产品营销总监Ben Huang表示，“这种创新技术不仅节省了成本，同时也让我们的客户可以拥有更加灵活、强大的电子系统。”
此外，由于其卓越表现，包括AI/数据中心服务器电源、高效电动汽车基础设施（EVI）以及半导体/工业设备中的应用，使得这一新品成为了许多关键行业不可或缺的一部分。在这些环境中，每一次功率交换都需要高度准确性，以避免损坏重要部件。
供货情况显示，该产品采用卷带封装，其起订量为3,000只，并且已开放样品请求。欲了解更多信息，请访问Littelfuse.com，或联系SBU保护业务部产品管理总监Ben Huang获取详情。此外，可以从该网站找到授权经销商名单，以便直接采购所需配套商品。