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Nexperia推出首款SiC MOSFET，提升工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
随着全球对可持续能源解决方案的需求日益增长，碳化硅（SiC）半导体器件在提高电力转换效率和系统整体性能方面扮演着越来越重要的角色。作为行业内高产能生产专家，Nexperia最近宣布推出了其首款SiC MOSFET，并计划通过扩大产品阵容来满足汽车和工业应用中对高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia SiC MOSFET具有多个参数性能超越同类产品，其中包括极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格阈值电压规格以及均衡栅极电荷比，这些特点使得这些器件能够安全可靠地防止寄生导通。此外，由于RDS(on)会影响传导功率损耗，它是SiC MOSFET关键性能参数之一。新推出的器件采用了创新型工艺技术，在25℃至175℃工作温度范围内，RDS(on)仅增加38%，实现了业界领先水平。
此外，Nexperia SiC MOSFET拥有非常低的栅极总电荷(QG)，从而可以实现更低的栅极驱动损耗。此外，该公司通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这进一步提高了器件对寄生导通抗扰度。
除了正温度系数外，Nexpora SiC MOSFET还具备超低阈值电压VGS(th)，使得并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡载流性能。此外较低体二极管正向压降有助于提高器件稳健性和效率，同时也能放宽异步整流和续流操作死区时间要求。
未来，还有计划推出车规级MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 已经投入大批量生产，现在已经可以联系销售代表获取全套SiC MOSEFT样品。对于想要了解更多关于Nexpora MOSEFT信息的人，可以访问：https://www.nexpera.com/sic-mosfets