在基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱電機承诺合作生产高质量SiC MOSFET開頭之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC組件性能發展。”

三菱電機半導體與元件部功率元件業務副總經理Toru Iwagami表示：“我們很榮幸與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作發佈的一批產品之一。三菱電機在SiC功率半導體領域積累了豐富專業知識，我們的地位實現了多方面特性的優秀平衡。”

RDS(on)，會影響傳輸功率損耗，是為了了解該如何選擇最佳適應您的應用而需要考慮到的因素。此外，由於它也成為造成目前市場上許多si-cmosfet性能受限因素之一，一個新的si-cmosfet採用了一項創新的製程技術，以實現業界領先水平溫度穩定，並且在25℃至175℃工作溫度範圍內只增加38%標稱值。

此外,NEXPERIA si-CMOS 的 gate charge (Qg）非常低，使得它能夠減少栅極驱动损耗。此外，由於平衡栅極電荷使 QGD 与 QGS 比率非常低，這種特點又進一步提高了對寄生導通抗扰能力。

除了正溫度系數以外，一個 NEXPERIA 的 si-CMOS 並有著超低阈值電壓（vgs(th），這樣做使得在靜態及動態條 件下都能夠實現非常均衡載流效益。此外較低Body diode forward voltage（vds）有助於提高整流效率并放寬死區時間要求從而增強系統穩定性。

最後一段文章結束時指出"NEXPERIA 將繼續拓展車規級 M OS F ET 系列" 并且已經投入大批量生產兩款產品 "NSFO04120L3A0 和 NSF0080120L3A0" 客戶可以通過網站或聯繫銷售代表以獲得詳細信息並獲取全套試樣品。

欲了解更多關於 NEXPERIA 的 M OS F ET 詳細信息請訪問 www.nxperiacom/sic-mosfets.