Littelfuse守护SiC MOSFET的先锋用非对称瞬态抑制二极管系列保护栅极就像一位忠实的战
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），致力于推动可持续发展、网络互联和安全世界的进程，宣布推出SMFA非对称瞬态抑制二极管系列，这是市场上首款专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极而设计的非对称瞬态抑制解决方案。与传统硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的效率，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也随之增加。SMFA非对称系列提供了一种创新单元件解决方案，不仅简化了设计，也显著提高了电路的可靠性。
这款产品在数据中心、高效电动汽车基础设施以及工业设备中作为理想选择，以其独特功能和特性赢得了广泛认可。在这些领域，SiC MOSFET需要强大的栅极保护以确保长期运行和性能，而SMFA非对称系列恰好满足这一需求。
SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案，可轻松取代多个齐纳二极管或瞬态抑制二极管，从而有效防止栅极驱动电路中的振铃和过冲现象。这不仅节省了宝贵的PCB空间，还减少了所需元件数量，使得电路设计更加简单。
Ben Huang，Littelfuse产品营销总监表示：“这种独特解决方案不仅提升了关键电源的可靠性和效率，而且还节省了宝贵空间，同时减少了所需元件数量。”
此外，这款产品适用于各种高要求应用，如AI/数据中心服务器电源、高效电动汽车基础设施（EVI）系统，以及高可靠性半导体/工业设备电源。供货情况表明，该产品提供卷带封装，并且起订量为3,000只，可以通过全球授权经销商获得样品请求。对于更多信息，请访问Littelfuse.com查看详细资料。此外，如果有技术问题，也可以联系SBU保护业务部产品管理总监Ben Huang：Bhuang@littelfuse.com获取帮助。
