Littelfuse电源技术领域的智者如今宣告了一项重大突破推出了第一款专为SiC MOSFET栅极

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  • 2025年03月03日
  • Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS),这位在工业技术领域的先驱者,致力于为一个更加可持续、互联且安全的世界提供动力。今天,它宣布推出了一款革命性的非对称瞬态抑制二极管——SMFA系列,这是市场上首款专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件影响而设计的非对称瞬态抑制解决方案。这项创新不仅简化了电路设计,还显著提高了电路的可靠性。 与传统的硅MOSFET和IGBT相比

Littelfuse电源技术领域的智者如今宣告了一项重大突破推出了第一款专为SiC MOSFET栅极

Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS),这位在工业技术领域的先驱者,致力于为一个更加可持续、互联且安全的世界提供动力。今天,它宣布推出了一款革命性的非对称瞬态抑制二极管——SMFA系列,这是市场上首款专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件影响而设计的非对称瞬态抑制解决方案。这项创新不仅简化了电路设计,还显著提高了电路的可靠性。

与传统的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的效率,因此越来越受到欢迎,对稳健栅极保护的需求也随之增长。SMFA非对称系列通过单一元件解决方案,为数据中心、高效电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案提供了理想选择。

SMFA非对称系列是市场上唯一专为SiC MOSFET独特栅极保护要求而设计的一款瞬态抑制二极管。它使用单个元件有效防止振铃和过冲现象,可以节省PCB空间并降低电路设计复杂性。此外,它还具有以下主要功能与特色:

非对称设计:精确定制以满足SiC MOSFET正负栅极电压额定值。

单一元件解决方案:取代多个齐纳二极管或瞬态抑制二極管,减少元件数量,简化布局。

空间效率:最大限度地减少PCB空间使用,使得设计紧凑有效。

兼容性:兼容所有可用的Littelfuse和其他领先SiC MOSFET,使其成为各种应用通用解决方案。

"这种独特解法不仅轻松替代多个齐纳二极管及瞬态抑制二極管,更重要的是,它保护宝贵SiC MOSFET免受故障影响。” Littelfuse产品营销总监Ben Huang表示,“此外,这种创新还节省了宝贵PCB空间,同时减少所需元件数量。”

SMFA非对称系列非常适合需要高性能计算环境关键电源、强大栅极保护以及确保长期使用寿命性能的情境,如AI/数据中心服务器、EVI(高效车辆基础设施)系统,以及半导体/工业设备中最重要部分。在全球范围内,有3,000只起订量供货,并接受样品请求。如果有技术问题,请联系SBU保护业务部产品管理总监Ben Huang: Bhuang@littelfuse.com.

关于Littelfuse

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