Nexperia SiC MOSFET模块提升工业电源开关性能达标安全性稳定性和可靠度标准
Nexperia推出首款SiC MOSFET，提升工业电源模块性能标准
Nexperia，碳化硅（SiC）领域的高产能生产专家今日宣布其首款SiC MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，将持续扩大产品阵容，为用户提供多款具有不同RDS(on)的器件。
这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。Katrin Feurle，Nexperia高级总监兼SiC产品部主管表示：“我们希望这些首发产品可以激发更多创新，为市场带来更多宽禁带器件供应商。”
三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。”
RDS(on)，一个关键性能参数，对传导功率损耗有显著影响。通过创新工艺技术实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃工作温度范围内，RDS(on)标称值仅增加38%。
此外，低栅极总电荷(QG)使得驱动损耗更低，而平衡栅极电荷进一步提高了抗扰度。此外，与其他同类竞品相比，该设备在阈值电压方面表现突出，更适合并联工作。
除了正温度系数外，该设备还具有超低体二极管正向电压(VSD)，有助于提高效率和稳健性，同时也放宽了死区时间要求。
未来计划推出车规级MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已投入大批量生产，现在已经开始接受预订，可以联系销售代表获取全套样品信息。
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