Nexperia SiC MOSFET数据驱动的工业电源开关应用安全性稳健性与可靠性的新标准
Nexperia推出首款SiC MOSFET：工业电源开关应用的新标准
Nexperia，一个在基础半导体器件领域以高产能生产而闻名的公司，今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布了两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，这些设备将持续扩展，以提供具有不同RDS(on)值的多种选项，并且包括通孔封装和表面贴装封装。
这些器件已被设计用于满足对高性能SiC MOSFET需求的地方，如电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)、太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用。
Katrin Feurle, Nexperia高级总监兼SiC产品部主管表示：“我们希望这两款初次亮相的产品能够激发更多创新并促进市场上更广泛地出现宽禁带器件供应商。我们现可提供具有超越同类竞争者的性能参数，比如极高温度稳定性、高效率、严格阈值规格以及均衡栅极荷载。”
Toru Iwagami, 三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理表示：“我们非常兴奋能够与Nexperia一起推出这些新型SiC MOSFET。这也是我们的合作第一批产品之一。三菱电机在此领域积累了丰富经验，我们实现了多方面特性的平衡。”
RDS(on)，即传导功率损耗的一个关键性能参数，对于提升SiC MOSFET性能至关重要。通过使用先进工艺技术，Nexperia开发出了业界领先水平的温度稳定性。在25℃至175℃工作温度范围内，RDS(on)标称值仅增加38%。
低栅极总电荷(QG)，使得驱动损耗最小化。此外，由于栅极荷载（QGD）与栅极存储荷载（QGS）的比率非常低，这一特性进一步提高了抗扰能力。
除了正温系数之外，该MOSFET还具有超低阈值伏打（VGS(th）），确保静态和动态条件下均衡载流性能。此外较低体二极管正向压降有助于提高效率，同时放宽死区时间要求。
未来，Nexpora计划推出车规级MOSFET。NSF040120L3A0和NS080120L3A0已经进入大规模生产阶段。如果您想了解有关Nexpera SiC-MOSfet 的更多信息，请访问https://www.nexperia.com/sic-mosfets
