Littelfuse电源模块的守护者宣布推出了一款专为SiC MOSFET栅极保护设计的非对称瞬态抑
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），致力于推动可持续发展、网络互联和安全世界的先驱者，今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计的非对称瞬态抑制解决方案。与传统硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET拥有更快的开关速度和更高的效率，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也随之增加。SMFA非对称系列通过提供一种创新单元件解决方案，不仅简化了设计，还显著提高了电路的可靠性。
作为数据中心、高效电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案理想选择，SMFA非对称系列是市场上唯一一款专为SiC MOSFET独特栅极保护要求而设计的瞬态抑制二极管。与需要多个齐纳二极管或瞬态抑制二极管传统解决方案不同，SMFA系列使用单个元件有效防止振铃和过冲现象，可节省PCB空间并降低电路设计复杂性。
SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管具备以下主要功能与特色：·非对称设计，为SiC MOSFET精确定制正负栅極電壓額定值，以确保精确可靠的保护；·单一元件解决方案，将多种保护功能组合到一个元件中，以减少PCB空间使用，并实现紧凑有效设计；·空间效率，如此做法最大限度减少了PCB空间使用，从而实现更紧凑有效的设计；·兼容性，与Littelfuse及其他领先SiC MOSFET制造商兼容，使其成为各种应用通用的解决方案。
“我们非常自豪地推出这款革命性的产品，它采用单一元件替代多个齐纳二极管和瞬态抑制二级功率电子器件，从而轻松地保护宝贵且快速响应能力强大的碳化硅（SiC）MOSFET免受故障影响。” Littelfuse产品营销总监Ben Huang表示，“这种独特方法不仅节省了宝贵物理空间，同时减少了所需零部件数量。”
该系列尤其适用于利用高性能碳化硅（SiC）MOSFET进行关键任务操作的情况，如AI/数据中心服务器电源、充满活力的EVI系统以及半导体/工业设备。在这些环境中，该新型技术提供了一种强有力的、可以增强关键电源品质并提升整体系统性能的一流耐用性保证。
供货情况下，这些新型技术将以卷带封装形式提供，每批起订量3,000只。如果您有兴趣了解更多关于如何获取样品或者想要查看Littelfuse授权经销商名单，请访问 Littelfuse.com网站。此外，您还可以联系SBU业务部门产品管理总监Ben Huang (Bhuang@littelfuse.com) 来获取进一步信息或解答任何技术疑问。