中国电业期刊网Nexperia SiC MOSFET新品提升工业电源开关安全性与稳定性能
Nexperia，一个在基础半导体器件领域的高产能生产专家，宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，这些新型SiC MOSFET将不断扩大产品阵容，为市场提供多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
这两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“我们希望这些初次发放的产品能够激发更多创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。”
此外，这些SiC MOSFET表现出极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，有助于安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱電機承诺合作生产高质量SiC MOSFET开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC器件性能发展。
三菱電機半導體與儀器部功率儀表業務副總經理Toru Iwagami表示：“我們很榮幸與Nexperia携手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產品。” RDS(on)，即传导功率损耗，是影响因素之一，而新的SiC MO