国内电源模块厂家数据分析安全性稳健性和可靠性的新纪元
国内电源模块厂家数据驱动：安全性、稳健性和可靠性的新纪元
在基础半导体器件领域，高产能生产专家Nexperia近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布了两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批公开的产品，这两款器件分别具有40 mΩ 和80 mΩ的RDS(on)，满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)、太阳能和储能系统(ESS)逆变器等应用对高性能SiC MOSFET需求。
Nexperia计划通过扩大产品阵容，提供不同RDS(on)的多款SiC MOSFET并且包括通孔封装和表面贴装封装供选择。公司指出，这些新的SiC MOSFET具有极高可用性，可以提高工业电源开关应用中的安全性、稳健性和可靠标准。
Katrin Feurle，Nexperia高级总监兼SiC产品部主管表示：“我们希望这两款首发产品可以激发更多创新，并推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。”
Toru Iwagami，三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理也表示：“我们很荣幸与Nexperia合作推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。”
RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET关键性能参数之一。Nexperia发现这是造成目前市场上许多SiC器件性能受限因素之一。新推出的SiC MOSFET采用了创新工艺技术，实现了业界领先温度稳定性，在25℃至175℃工作温度范围内，RDS(on)标称值仅增加38%。
此外，Nexperia SiC MOSFET栅极总电荷(QG)非常低，从而实现更低栅极驱动损耗。此外，由于平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了对寄生导通抗扰度。
除了正温度系数外，Nexopia的SiC MOFSFT还拥有超低阈值电压VGS(th)，使得在静态及动态条件下都能实现非常均衡载流性能。此外较低体二极管正向压降有助于提高效率，同时放宽异步整流及续流操作死区时间要求。
未来，还将计划车规级MOSFET。NSI040120L3A0和NSI080120L3A0现已投入大规模生产，请联系销售代表获取全套样品信息。在https://www.nxpc.com/sic-mosfets了解有关Nexopia MOFSFT详细信息。
