广东电力期刊报道Littelfuse的新星专为SiC MOSFET设计的栅极守护者非对称瞬态抑制二极
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），致力于推动可持续发展、网络互联和安全世界的进程，宣布推出SMFA非对称系列瞬态抑制二极管，这是市场上首款专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极设计的解决方案。与传统硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET在开关速度和效率方面表现更优，因此越来越受欢迎，对稳健栅极保护的需求也随之增长。
SMFA非对称系列提供了一种创新单元件解决方案，不仅简化了设计，还显著提升了电路的可靠性。它是市场上唯一针对SiC MOSFET独特栅极保护要求而设计的瞬态抑制二极管，与需要多个齐纳二极管或瞬态抑制二极管的传统解决方案不同，SMFA系列使用单一元件有效防止振铃和过冲现象，可节省宝贵PCB空间并降低电路设计复杂性。
SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管具有以下主要功能与特色：
非对称设计：精确定制以适应SiC MOSFET正负栅極電壓额定值，为保护提供精确可靠。
单一元件解决方案：取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管，以减少元件数量并简化电路布局。
空间效率：通过将多种保护功能组合到一个元件中，大幅度减少了PCB空间使用，从而实现更紧凑高效的设计。
兼容性：兼容所有可用的Littelfuse及其他领先SiC MOSFET，使其成为各种应用通用解决方案。
"这种独特的解决方案不仅轻松替换了多个齐纳、二级激光器，但还节省了宝贵PCB空间，并减少所需元素数量。" Littelfuse产品营销总监Ben Huang表示，“这使得我们的产品非常适合AI/数据中心服务器、高效电动汽车基础设施以及高可靠性半导体/工业设备。”
供货情况包括卷带封装，每批起订量为3,000只，可以从全球授权经销商处购买样品。此外，还可以访问Littelfuse.com查询授权经销商名单，或查看更多信息，如联系SBU保护业务部产品管理总监Ben Huang获取技术支持。
