Littelfuse守护稳压电源的先锋宣布推出专为SiC MOSFET栅极保护设计的非对称瞬态抑制二
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），这位致力于推动可持续发展、连接世界与安全的先锋，宣布推出了SMFA非对称系列瞬态抑制二极管，这是市场上首款专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计的非对称瞬态抑制解决方案。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET在开关速度和效率方面表现更佳，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也随之增加。
SMFA非对称系列以其创新单元件解决方案而闻名，不仅简化了设计，还显著提升了电路的可靠性。它们是市场上唯一一款专为SiC MOSFET独特栅极保护要求而设计的瞬态抑制二极管，与需要多个齐纳二极管或瞬态抑制二极管的传统解决方案不同，SMFA系列使用单个元件有效防止振铃和过冲现象，从而节省宝贵PCB空间并降低电路设计复杂性。
SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管具有以下主要功能与特色：
非对称设计：精确定制以满足SiC MOSFET正负栅極電壓額定值，为用户提供精确可靠的保护。
单一元件解决方案：取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二级带来更多空间效率。
兼容性：兼容所有可用的Littelfuse及其他领先制造商提供的一切SiC MOSFET，使其成为各种应用中的通用选择。
"这种独特解决方案不仅能够轻松替换多个齐纳、二级带，而且还能大幅减少PCB空间占用，同时减少所需元件数量。” Littelfuse产品营销总监Ben Huang表示，“它将为数据中心、电动汽车基础设施以及高效工业设备等领域中采用高性能SiC MOSFET系统提供强大的支持。”
供货情况显示，SMFA非对称系列现在提供卷带封装，并且每批起订量为3,000只。此外，全球授权经销商接受样品请求，如需了解具体信息，请访问Littelfuse.com。如果有任何技术问题，可以联系SBU保护业务部产品管理总监Ben Huang通过电子邮件Bhuang@littelfuse.com获取帮助。