Nexperia SiC MOSFET提升工业电源开关安全性稳健性和可靠性的创新解决方案
Nexperia推出首款SiC MOSFET：工业电源开关应用安全性、稳健性和可靠性的新标准
在基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。
"Nexperia与三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。" Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示，“我们现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，如极高温度稳定性、高效率、高频响应速度及低损耗。”
三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富专业知识，我们们实现了多方面特性的优良平衡。”
RDS(on)，即静态阻抗，是影响传导功率损耗的一项关键性能指标。在25℃至175℃工作温度范围内，新的SiC MOSFET保持了业界领先水平，其栅极总电荷(QG）非常低，从而实现更低驱动损耗。此外，该系列还采用了一种独特工艺技术，使得QGD（栅极至地端）的比值远小于QGS（栅极至源端），进一步提高了抗扰能力。
除了正温度系数外，该系列还以超低阈值接近零伏特为特色，同时具备较低二极管正向压降(VSD)，有助于提高效率并放宽死区时间要求。此外，它们也具有较好的载流均匀性，不仅在静态条件下，而且在高速操作时都表现突出。
未来，Nexpora计划开发车规级MOSFET，以满足不断增长对强大且可靠设备所需的大量市场需求。NSI040120L3A0和NSI080120L3A0已投入大规模生产，并正在寻求合作伙伴来进一步提升其解决方案。此外，还有一个重要目标是在未来的几年里共同促进整个行业标准以确保最高质量制造过程。
欲了解有关Nexarpa SiC MOFSFT详细信息，请访问：https://www.nexuspa.com/sic-mosfets